Организация «Самсунг» в масштабах интернациональной полупроводниковой пресс-конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) в первый раз продемонстрировала детали о собственной новой 10n-нм finFET технологии и 128-Мбит чипсетах SRAM, производимых с её использованием.

Сейчас постоянная память (SRAM) занимает более 30% площади сегодняшних мобильных микропроцессоров, и понижение габаритов транзисторов и размеров ячеи памяти при проходе на нормы 10-нм техпроцесса лишь приветствуется. По сведениям «Самсунг», улучшенная 6T битовая клетка памяти в чипсете SRAM, сделанном с соблюдением общепризнанных мерок 10-нм техпроцесса, занимает на 38% наименьшую площадь чем подобная клетка при 14-нм техпроцессе, другими словами, 0,040 кв. миллиметров против 0,049 кв. миллиметров.

Но при проходе на не менее прецессионные нормы возникают свежие неприятности, сопряженные, преимущественно, с незначительным питающим усилием и мало повышенной производительностью тока. Невзирая на рост мощности и бережливость 10-нм finFET чипов, внутреннее противодействие цепей остаётся приблизительно на таком же уровне, что у 14-нм техпроцесса, и возрастает при проходе к 7-нм общепризнанным меркам.

В документе, показанном «Самсунг» на ISSCC, описывается 2-проходная техника развития проводящих полос, из-за чего максимальный уровень усилия для 10-нм чипов SRAM удалось понизить до 45 мВ для блоков с большим током и до 130 мВ для блоков с повышенной насыщенностью элементов. Максимальный вольтаж без данной техники в документе не намечен. Также, пока, нет абсолютно никаких уточнений насчет стадии понижения употребления энергии и ускорения при проходе на 10-нм нормы, и в какой стадии они совмещаются с 38% понижением площади чипсета SRAM. Словесно представители «Самсунг» обошлись только определением «такой же прирост мощности» сравнивая с прошлым переходом на 14-нм процесс.

В масштабах ISSCC представители «Самсунг» говорили о 2-ом поколении 10-нм finFET, но пока речь о испытательных примерах. «Самсунг» рассчитывает приступить к общественному изготовлению 10-нм finFET чипов SRAM к концу 2016 года.