Организация «Самсунг» в масштабах интернациональной полупроводниковой пресс-конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) в первый раз продемонстрировала детали о собственной новой 10n-нм finFET технологии и 128-Мбит чипсетах SRAM, производимых с её использованием. Сейчас постоянная память (SRAM) занимает более 30% площади сегодняшних мобильных микропроцессоров, и понижение габаритов транзисторов и размеров ячеи памяти при проходе на нормы 10-нм техпроцесса лишь приветствуется. По сведениям «Самсунг», улучшенная 6T битовая клетка памяти в чипсете SRAM, сделанном с соблюдением общепризнанных мерок 10-нм техпроцесса, занимает на 38% наименьшую площадь чем подобная клетка при 14-нм техпроцессе, другими словами, 0,040Читать далее